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低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET,可提高能效和功率密度

—— 器件采用PowerPAK SO-8单体封装,栅极电荷与导通电阻乘积优值系数达到同类产品最佳水平
作者:时间:2020-08-18来源:电子产品世界收藏

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,首度推出-30 V p沟道功率---  ,10 V条件下导通电阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET®第四代  导通电阻达到业内最低水平,采用热增强型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装,专门用来提高功率密度。

本文引用地址:http://www.dzszp.com/article/202008/417198.htm

日前发布的导通电阻比市场上排名第二的产品低43%,降低压降并减小传导损耗,从而实现更高功率密度。SiRA99DP超低栅极电荷仅为84 nC,栅极电荷与导通电阻乘积,即开关应用中的重要优值系数 (FOM) 为185 mW*nC,达到同类产品最佳水平。

器件是输入电压12 V电路的理想选择,适用于适配器、电池和通用电源开关、反向极性电池保护、 OR-ing功能,以及电信设备、服务器、工业PC和机器人的电机驱动控制。SiRA99DP减少并联器件数量,换句话说,加大单个器件电流,从而提高功率密度,节省这些应用的主板空间。此外,作为p沟道MOSFET,器件不需要电荷泵提供n沟道器件所需的正向栅压。

这款MOSFET经过RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

SiRA99DP现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周,视市场情况而定。

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关键词: MOSFET

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