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电源设计,进无止境

—— ​推动电源管理变革的5大趋势
作者:德州仪器时间:2020-08-24来源:电子产品世界收藏


本文引用地址:http://www.dzszp.com/article/202008/417433.htm

电源管理的前沿趋势

我们矢志不渝地致力于突破电源限制:开发新的工艺、封装和电路设计技术,从而为您的应用提供性能出色的器件。无论您是需要提高功率密度、延长电池寿命、减少电磁干扰、保持电源和信号完整性,还是维持在高电压下的安全性,我们都致力于帮您解决电源管理方面的挑战。德州仪器 (TI):与您携手推动电源进一步发展的合作伙伴 。

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1   功率密度:提高功率密度以在更小的空间内实现更大的功率,从而以更低的系统成本增强系统功能

2   低 IQ在不影响系统性能的同时,降低静态电流以延长电池寿命和货架寿命

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3   低 最大限度地减少干扰,以降低系统成本并快速满足 标准

低噪声和高精度:增强功率和信号完整性,以提高系统级保护

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5   隔离:通过高压隔离栅传输信号和/或电力,以提高较高工作电压下的安全性和可靠性

功率密度

在更小的空间内实现更大的功率,从而以更低的系统成本增强系统功能

随着人们对电源的要求越来越多,电路板面积和厚度日益成为限制因素。电源设计人员必须向其应用中集成更多的电路,才能实现产品的差异化,并提高效率和增强热性能。使用 TI 的先进工艺、封装和电路设计技术,现能以更小的外形尺寸实现更高的功率等级。

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器件产热更少

• 业内先进的电源处理节点电压小于 100V

• 600V 氮化镓 () 器件可提供出色的开关性能比较效率提升对温升影响的热图像。

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比较效率提升对温升影响的热图像。

散热型封装

• HotRod™ 封装

• 支持散热垫的增强型 HotRod 封装

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HotRodTM 封装不仅省去了 接合线,还能保持出色的热性能。

拓扑和电路支持更小的无源组件

• 多级转换器拓扑

• 先进的功率级栅极驱动器支持更小磁性元件的多级拓扑。

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支持更小磁性元件的多级拓扑。

通过集成,可最大限度地减小寄生效应并减少系统占用空间

• MicroSiP 3D 模块集成

• 具有低环路电感的 和驱动器多芯片模块()

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MicroSiP 封装支持 3D 集成。

功率密度的关键产品分类:电池充电器IC,降压-升压和反相稳压器,氮化镓()IC,隔离偏置电源,隔离栅极驱动器,LED驱动器,线性稳压器(LDO),多通道 IC(PMIC),离线和隔离DC / DC控制器 与转换器,电源开关,降压型稳压器,升压型稳压器,USB Type-C和USB Power Delivery IC

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GaN + 栅极驱动器 可减小寄生效应,并提高功率密度 。

低静态电流 (IQ)

在不影响系统性能的同时,延长电池寿命和存储时间

在电池供电的系统中,为了在空载或轻负载条件下实现高效率,需要电源解决方案在保持超低供 电电流的同时,对输出进行严格调节。借助 TI 的超低 IQ 技术和产品组合,您可在下一个设计中实现低功耗,并最大限度地延长电池运行时间。

低待机功耗

●   使用超低泄漏元件和新型控制拓扑,延长电池运行时间

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快速唤醒和低待机功耗。

快速响应时间

●   通过快速唤醒电路和自适应偏置增强系统功能,以提高动态响应时间,同时保持超低的静态功耗

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与同类产品相比,TI 产品具有超低的 IQ 和出色的瞬态响应。

需要低 IQ 特性的主要产品类别:电池充电器 IC、降压/升压和反相稳压器、线性稳压器 (LDO)、电源开关、串联电压基准、并联电压基准、降压稳压器、升压稳压器、监控器和复位 IC

S外形小巧

●   借助 TI 的专利电路技术,可实现支持应用的裸片和封装尺寸,且不会影响静态功耗

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不影响 IQ 的超小型封装。


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关键词: QFN EMI GaN MCM

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