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宜普电源转换公司(EPC)的200 V 氮化镓产品系列(eGaNFET)的性能提升了一倍

作者:时间:2020-08-24来源:电子产品世界收藏

新一代200 V 氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器,以及多电平、高压AC / DC转换器的理想功率器件。

本文引用地址:http://www.dzszp.com/article/202008/417467.htm

新一代200 V 氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器,以及多电平、高压AC / DC转换器的理想功率器件。

增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司(EPC)最新推出的两款200 V eGaN FET(EPC2215和EPC2207),性能更高而同时成本更低,目前已有供货。采用这些领先氮化镓器件的应用十分广阔,包括D类音频放大器、同步整流器、太阳能最大功率点跟踪器(MPPT)、DC/DC转换器(硬开关和谐振式),以及多电平高压转换器。

EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大约缩小50%,而性能却倍增。 与基准硅器件相比,这两款氮化镓器件的性能更高。 EPC2215的导通阻抗降低了33%,但尺寸却缩小了15倍。 其栅极电荷(QG)较基准硅MOSFET器件小十倍,并且与所有eGaN FET一样,没有反向恢复电荷(QRR),从而使得D类音频放大器可以实现更低的失真,以及实现更高效的同步整流器和电机驱动器。

EPC首席执行官兼共同创办人Alex Lidow表示:“最新一代的eGaN FET在具备更高效散热的更小型尺寸内,实现更高的性能,而且其成本与传统MOSFET器件相若。氮化镓器件必然可替代逐渐老化的功率MOSFET器件的趋势日益明显。”

EPC公司与得克萨斯大学奥斯汀分校的半导体功率电子中心(SPEC)合作开发了的400 V、2.5 kW、基于eGaN FET、四电平飞跨电容(FCML)图腾柱无桥整流器,适用于数据中心,它使用了最新的200 V 氮化镓场效应晶体管(EPC2215)。 得克萨斯大学奥斯汀分校的Alex Huang教授说:“ 氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的优越特性使得转换器能够实现高功率密度、超高效率和低谐波失真。”

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Performance comparison of benchmark silicon 200 V FET vs. 200 V eGaN FETs

产品价格和供货

下表列出了产品及相关开发板和参考设计板的价格。

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