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光刻胶 文章

光刻胶:芯片产业链形成的关键原料

  • 光刻胶是利用光化学反应经光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移媒介。作用原理是利用紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X 射线等光源的照射或辐射,使其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。光刻胶主要用于集成电路和半导体分立器件的微细加工,同时在平板显示、LED、倒扣封装、磁头及精密传感器等制作过程中也有着广泛的应用。光刻胶又称光致抗蚀剂,由主要成分和溶剂构成,当前光刻胶主要使用的溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯(PMA),占光刻胶含量约为80%-90%。主要成分包括树脂、单体、光引发剂及添
  • 关键字: 光刻胶  

光刻胶和掩膜版,纯国产芯片生产需要克服的两个重要障碍

  • 无法制造纯国产的高端芯片,是国人心中隐隐的痛!目前来说,阻碍国产高端芯片的最大瓶颈就是极紫外光刻机。但是,即使有了极紫外光刻机,也需要光刻胶和掩膜版来进行配套才行。一、光刻机不是直接刻蚀芯片正如上一个关于光刻机的视频所说,芯片生产用的光刻机,只是起到曝光的作用,并不进行刻蚀。要想用光刻机进行直接刻蚀,必然面临以下几个难题。首先,要把激光功率做到足够大,需要把硅或一些金属氧化物直接气化剥离。目前来说,波长越短的激光光源制造越困难,实现大功率越难,现有的紫外、极紫外光源难以产生足够强的激光。尤其是极紫外光源,
  • 关键字: 光刻胶  掩膜版  

打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

  • 作为半导体卡脖子的技术之一,很多人只知道光刻机,却不知道光刻胶的重要性,这个市场也是被日本及美国公司垄断,TOP5厂商占了全球85%的份额。国产光刻胶此前只能用于低端工艺生产线中,能做到G 线(436nm)、I 线 (365nm)水平,目前主要在用的ArF光刻胶还是靠进口,EUV光刻胶目前还没有公司能生产,基本上都控制在日本公司手中。不过EUV光刻胶也不是急需的,因为国内目前还没有EUV工艺量产,193nm的ArF光刻胶更加重要,目前国内有多家公司正在攻关中,这种光刻胶可以用于28nm
  • 关键字: 美国  日本  光刻胶  

90%市场被国外厂商垄断 光刻胶国产化急需提速!

  • 近年来,虽然中国在芯片设计领域有了突飞猛进的发展,涌现出了一批以华为海思为代表的优秀的芯片设计企业,但是在芯片制造领域,中国与国外仍有着不小的差距。不仅在半导体制程工艺上落后国外最先进工艺近三代,特别是在芯片制造所需的关键原材料方面,与美日欧等国差距更是巨大。即便强大如韩国三星这样的巨头,在去年7月,日本宣布限制光刻胶、氟化聚酰亚胺和高纯度氟化氢等关键原材料对韩国的出口之后,也是被死死的“卡住了脖子”,急得如热锅上的蚂蚁,却又无可奈何。最后还是日本政府解除了部分限制之后,才得以化解了危机。而在美国制裁中兴
  • 关键字: CPU处理器  光刻机  光刻胶  

日本部分解除对韩出口限制:光刻胶不再禁售

  • 2019年7月初,日韩突然陷入制裁争端,日本宣布限制对韩出口三种关键的半导体材料,分别是电视和手机OLED面板上使用的氟聚酰亚胺(Fluorine Polyimide)、半导体制造中的核心材料光刻胶(Photoresist)和高纯度氟化氢(Eatching Gas)。日本方面敢这么做当然是有底气的,基本垄断着全球的氟聚酰亚胺、氟化氢材料市场,分别占全球份额的90%、70%之多,韩国企业更是严重依赖日本供应,禁售直接带来了毁灭性的打击。据外媒最新报道,日本经济产业省已经部分解除了对韩国出口光刻胶的限制。今后
  • 关键字: 韩国  日本  禁售  光刻胶  

不合格光刻胶致大量晶圆报废 台积电雷霆换将:新设检测部门

  • ​台积电爆发光刻胶规格不符事件导致大量报废晶圆,牵动公司内部两部门的人事异动,包括这次事件爆发地的 14 厂厂长已换将。
  • 关键字: 光刻胶  台积电  

光刻胶材料的重大突破 极紫外光刻迈向实用

  • 新式半导体光刻技术中,极紫外光刻(EUV)被认为是最有前途的方法之一,不过其实现难度也相当高,从上世纪八十年代 ...
  • 关键字: 光刻胶  极紫外光刻  

SEMI:半导体材料市场反弹至创新的记录

  •   根据SEMI于SEMICON West上最新的数据报道,由于IC出货量的持续增加,导致半导体材料用量己经回到近08年水平,但是预期2011年的增速减缓。   2010年总的半导体前道材料(fab Materials)将由09年的178.5亿美元(与08年相比下降26,2%)提高到217.1亿美元,但仍未超过2008年241.9亿美元水平 。这是由SEMI分析师Dan Tracy在7月12日下午的年会上公布的数据。   在2010年中增长最快是硅片(32%up,达94.1亿美元),紧接着是光刻胶(2
  • 关键字: 半导体材料  硅片  光刻胶  

TFT高性能光刻胶国产化势在必行

  •   TFT-LCD产业是当今产业界几个高成长产业之一。近10年来,日本、韩国及我国台湾等国家和地区,已经为它投资了上千亿美元,形成地域相当集中、规模相当巨大的产业集群。   我国光刻胶用量逐年增加   中国液晶产业始于1980年,起步并不晚。但是我们长期限于TN、STN-LCD。在2003年后才真正开始大规模建设TFT-LCD生产线,目前已经量产的厂家主要是京东方、上广电、龙腾和深超光电4家,产能约占全球总产能的4%。   目前我国在建和待建的大尺寸TFT-LCD生产线共有8条,其中,京东方除了规划
  • 关键字: 液晶  TFT-LCD  光刻胶  

华飞微电子:国产高档光刻胶的先行者

  •   光刻胶是集成电路中实现芯片图形转移的关键基础化学材料,在光刻胶的高端领域,技术一直为美国、日本厂商等所垄断;近年来,本土光刻胶供应商开始涉足高档光刻胶的研发与生产,苏州华飞微电子材料有限公司就是其中一家。   据华飞微电子总工程师兼代总经理冉瑞成介绍,目前华飞主要产品系列为248nm成膜树脂及光刻胶,同时重点研发193nm成膜树脂及光刻胶和高档专用UV成膜树脂及光刻胶。   冉瑞成表示,248nm深紫外(DUV)光刻胶用于8-12英寸超大规模集成电路制造的关键功能材料,目前的供应商基本来自美国、日
  • 关键字: 光刻胶  集成电路  芯片  半导体材料  
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光刻胶介绍

光刻胶-正文   又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像(见图)。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理, [ 查看详细 ]

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