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华为+中科院攻关EUV光刻机?ASML华裔工程师:天方夜谭

  • 9月16日,中国科学院院长白春礼在国新办发布会上介绍称,“率先行动”计划第二阶段要把美国“卡脖子”的清单变成科研任务清单进行布局,集中全院力量聚焦国家最关注的重大领域攻关。白春礼称,从2021年到2030年未来的十年是“率先行动”计划第二阶段。对此,首先要进行体制机制改革。他称,目前已经设立了创新研究院、卓越创新中心、大科学中心和特色所四类机构,目的是根据科研性质不同进行分类定位、分类管理、分类评价、分类资源配置。“这个工作还没有完,只是进行了一部分,所以第二阶段我们争取在2025年要把四类机构全部做完,
  • 关键字: 华为  中科院  EUV  光刻机  ASML  

10亿元一台EUV光刻机!芯片产能数量曝光:够华为手机用吗?

  • 相信大家都知道,在前几天,ASML重磅官宣了一条大新闻,正式在中国宝岛台湾建设了第一家海外培训中心—亚洲培训中心,这家培训中心标配了14名培训技师,一年大约可以培养超过360名EUV光刻机操作工程师,能够让芯片生产加工企业更好的掌握和使用EUV光刻机,从而可以进一步提高5nm/3nm芯片的良品率,其实ASML在台湾建设这座亚洲培训中心,最大的目的就是为了直接帮助台积电培养更多的光刻机操作工程师,因为在过去两年时间里,ASML一共售卖了57台EUV光刻机产品,其中台积电就购得了30台,占据着绝大部分的份额,
  • 关键字: 台积电  5nm  EUV  

台积电:5nm EUV工艺已在量产、明年推出增强版

  • 24日,台积电举办了第26届技术研讨会,并披露了旗下最新工艺制程情况。按照台积电的说法,5nm工艺规划了两代,分别是N5和N5P。其中N5确定引入EUV(极紫外光刻)技术,并且已经在大规模量产之中。相较于N7,N5的功耗降低了30%、性能提升了15%,逻辑器件密度是之前的1.8倍。N5P作为改良版,仍在开发中,规划2021年量产,相较于第一代5nm,功耗进一步降低10%、性能提升5%,据称面向高性能计算平台做了优化。据手头资料,台积电的5nm有望应用在苹果A14芯片(包括Apple Silicon PC处
  • 关键字: 台积电  5nm  EUV  

台积电采购30台EUV光刻机冲刺7/5nm,ASML就近设立培训中心

  • 台积电在高端制程技术上冲锋陷阵,已经成为光刻机龙头 ASML 在 EUV 机台上的最大采购客户,累计已经购买了 30 台 EUV 设备。日前,ASML 继在韩国成立 EUV 技术培训中心后,也在台积电先进制程的重镇台湾台南,成立 EUV 技术培训中心。一台EUV系统需要50个工程师操作一台造价逾一亿欧元的精密 EUV 系统,重量高达 180&nbs
  • 关键字: EUV  台积电  ASML  

Intel/台积电/ASML齐捧EUV光刻:捍卫摩尔定律

  • 日前,中国国际半导体技术大会(CSTIC)在上海开幕,为期19天,本次会议重点是探讨先进制造和封装。其中,光刻机一哥ASML(阿斯麦)的研发副总裁Anthony Yen表示,EUV光刻工具是目前唯一能够处理7nm和更先进工艺的设备,EUV技术已经被广泛认为是突破摩尔定律瓶颈的关键因素之一。Yen援引统计数据显示,截至2019年第四季度,ASML当年共售出53台EUV NXE:3400系列EUV光刻机,使用EUV机器制造的芯片产量已经达到1000万片。他说,EUV已经成为制造7nm、5nm和3nm逻辑集成电
  • 关键字: Intel  台积电  ASML  EUV  光刻  摩尔定律  

华为、苹果7/5nm需求大 台积电狂加EUV订单

  • 2020年因为全球经济的问题,本来电子行业会下滑,但是晶圆代工场合不降反升,台积电Q1季度营收大涨了30%,牢牢坐稳了全球晶圆代工一哥的位置。由于华为、苹果等公司的7nm及5nm工艺需求大,台积电目前正在疯狂增加EUV产能。台积电2018年量产了7nm工艺,不过第一代7nm没有EUV工艺加持,2019年的7nm EUV工艺才由华为的麒麟990 5G处理器首发,而今年的5nm工艺则会全面上马EUV工艺。根据台积电之前公布的数据,7nm及7nm EUV工艺目前每月的产能达到了11万片晶圆/月,而5nm工艺的月
  • 关键字: 华为  苹果  5nm  台积电  EUV  

三星新建5nm晶圆厂:先进EUV技术 2021年投产

  • 随着时间迈入2020年中,以台积电和三星为代表的芯片半导体也从7nm逐步向5nm进发,实际上麒麟1020和苹果A14芯片就是基于台积电5nm工艺,表现相较7nm将会更上一层楼。很明显在7nm时代,三星是落后于台积电的,不过这家巨头似乎想在5nm时代弯道超车,近日据媒体报道,三星宣布将于汉城南部的平泽市建造全新的5nm晶圆厂。该工厂是三星在韩国国内的第六条晶圆代工产线,将应用先进的极紫外光微影(ExtremeUltravioletlithography,EUV)制程技术,拿7nmEUV工艺对比,三星5nmE
  • 关键字: 三星  5nm  EUV  

EUV光刻机断货 台积电5nm工艺抢三星头彩:A14/麒麟1020首发

  • 台积电上周发布了3月及Q1季度财报,营收同比大涨了42%,淡季不淡。不过接下来的日子半导体行业可能不太好过了,ASML的EUV光刻机已经断货,要延期交付,好在台积电今年已经在5nm工艺上抢先三星了。根据ASML之前的报告,3月底他们下调了1季度营收预期到24-25亿美元,差不多减少了1/4左右的营收,毛利率也下滑到了45-46%之间。此外,ASML的EUV光刻机也因为种种原因断货了,虽然订单没有取消,但是交付要延期了,三星、台积电今年都不太容易快速扩张EUV产能。不过台积电在这次危机中更有优势地位,他们包
  • 关键字: EUV  台积电5nm  

三星首次将EUV技术应用于DRAM生产

  • 据ZDnet报道,三星宣布,已成功将EUV技术应用于DRAM的生产中。
  • 关键字: 三星  EUV  DRAM  

三星率先为DRAM芯片导入EUV:明年将用于DDR5/LPDDR5大规模量产

  • 当前在芯片制造中最先进的EUV(极紫外光刻)工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。这家韩国巨头今日宣布,已经出货100万第一代10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组,并完成全球客户评估,这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。得益于EUV技术,可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤,并进一步提升产能。三星表示,将从第四代10nm级(D1a)DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV,明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片,预计会使12
  • 关键字: 三星  DRAM  EUV  

引入EUV技术的6nm,才是真正的6nm

  • 只有引入EUV技术的6nm才是真正的6nm,而这项技术也将伴随未来可能的5nm、4nm、3nm、2nm、1nm一路
  • 关键字: EUV  6nm  光刻机  

泛林集团发布应用于EUV光刻的技术突破

  • 近日,泛林集团发布了一项用于EUV光刻图形化的干膜光刻胶技术。泛林集团研发的这项全新的干膜光刻胶技术,结合了泛林集团在沉积、刻蚀工艺上的领导地位及其与阿斯麦 (ASML) 和比利时微电子研究中心 (imec) 战略合作的成果,它将有助于提高EUV光刻的分辨率、生产率和良率。泛林集团的干膜光刻胶解决方案提供了显著的EUV光敏性和分辨率优势,从而优化了单次EUV光刻晶圆的总成本。由于领先的芯片制造商已开始将EUV光刻系统应用于大规模量产,进一步提升生产率和分辨率将帮助他们以更合理
  • 关键字: EUV  光刻  

泛林集团在提高EUV光刻分辨率、生产率和良率取得技术突破

  • 泛林集团与阿斯麦 (ASML) 和比利时微电子研究中心 (imec) 共同研发的全新干膜光刻胶技术将有助于提高EUV光刻的分辨率、生产率和良率。
  • 关键字: 泛林  EUV  干膜光刻胶技术  

2021年ASML将推下一代EUV光刻机 面向2nm、1nm工艺

  • 作为全球唯一能生产EUV光刻机的公司,荷兰ASML公司去年出售了26台EUV光刻机,主要用于台积电、三星的7nm及今年开始量产的5nm工艺,预计今年出货35台EUV光刻机。目前ASML出货的光刻机主要是NXE:3400B及改进型的NXE:3400C,两者基本结构相同,但NXE:3400C采用模块化设计,维护更加便捷,平均维修时间将从48小时缩短到8-10小时,支持7nm、5nm。此外,NXE:3400C的产能也从之前的125WPH(每小时处理晶圆数)提升到了175WPH。不论NXE:3400B还是NXE:
  • 关键字: ASML  EUV  

麒麟820处理器要来,6纳米+EUV工艺,手有技术气自华!

  • hello,大家好,欢迎来到阿洛伊科技华为将于2月24日21:00举行在线新品发布会。在疫情爆发期间,手机制造商选择在网上举行发布会。据悉,此次发布会的主题是“共同未来”。从海报上看,本次大会将涵盖多个类别,包括折叠手机、笔记本电脑、平板电脑、智能手表、智能家居等,不过,据媒体透露,本次大会将会有一个惊喜,即将发布最新的旗舰SOC麒麟820处理器。与上一代麒麟810相比,该处理器有哪些升级?让我们看看。麒麟820处理器将采用cortex A76架构。不采用最新的cortex a77架构的主要原因是,ARM
  • 关键字: 麒麟820  6纳米  EUV  
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euv介绍

远紫外线光刻技术(extreme ultraviolet )。 市场的殷切需求和技术节点的不断进步仿佛是悬在光刻技术头顶的“利剑”,虽然不至于“随时冷汗涔涔”,但是在某种程度上督促着光刻要永远走在前面。商品化光刻机分辨率从1.0μm到0.1μm的演变过程和光源波长从436nm(G-line),经历356nm(I-line)和248nm(KrF),到如今193nm(ArF)的过程;NA从0. [ 查看详细 ]

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