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500万彩票网氮化镓(GaN)接替硅,支持高能效、高频电源设计

  • 在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。对于新技术而言,GaN本质上比其将取代的技术(硅)成本低。GaN器件与硅器件是在同一工厂用相同的制造程序生产出。因此,由于GaN器件小于等效硅器件,因此每个晶片可以生产更多的器件,从而降低了每个晶片的成本。GaN有许多性能优势,包括远高于硅的电子迁移率(3.4eV对比1.1eV),这使其具有比硅高1000倍的电子传导效率的潜力。值得注
  • 关键字: LDN  GaN  

500万彩票网马瑞利牵手氮化镓(GaN)技术领导者TRANSPHORM Inc.

  • 领先的汽车供应商MARELLI近日宣布与美国一家专注于重新定义功率转换的半导体公司Transphorm达成战略合作。通过此协议,MARELLI将获得电动和混合动力车辆领域OBC车载充电器、DC-DC 转换器和动力总成逆变器开发的尖端技术,进一步完善MARELLI在整体新能源汽车技术领域的布局。Transphorm被公认为是氮化镓(GaN)技术的领导者,提供高压电源转换应用的最高效能、最高可靠性的氮化镓(GaN)半导体,并拥有和汽车行业(尤其是日本)直接合作的成功经验。获得这一技术对正在探索电力传动系统业务
  • 关键字: OBC  GaN  

Qorvo推出业内最高性能的宽带 GaN 功率放大器

  • 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商Qorvo®, Inc.近日推出全球性能最高的宽带功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的这款功率放大器是专为通信应用和测试仪表应用而设计,拥有多项性能突破:它能够在 2-20 GHz 的频率范围提供业界领先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信号增益和 20-35% 的功率附加效率。这种组合为系统设计人员带来提高系统性能和可靠性所需的灵活性,同时减少了元件数量、占用空间和成本。Qorvo 高性能解决方案业务
  • 关键字: GaN  功率放大器  

Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器设计

  •  奈梅亨,2020年2月25日:分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家Nexperia宣布与知名汽车工程咨询公司Ricardo合作,以研制基于氮化镓(GaN)技术的EV逆变器技术演示器。 GaN是这些应用的首选功率器件,因为GaN FETs使系统以更低的成本达到更高的效率、更好的热性能和更简单的开关拓扑。在汽车领域,这意味着车辆行驶里程更长,而这正是所有电动汽车消费者最关心的问题。现在,GaN即将取代基于硅的IGBT和SiC,成为插电式混合动力汽车
  • 关键字: Nexperia  GaN  EV逆变器  

纳微半导体65W 氮化镓(GaN)方案获小米10 Pro充电器采用

  • 小米集团和纳微(Navitas)宣布,其GaNFast充电技术已被小米采用,用于旗舰产品Mi 10 PRO智能手机。 小米董事长兼首席执行官雷军先生在2月13日的小米在线新闻发布会上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化镓(GaN),这是一种新的半导体材料,其运行速度比以前的硅(Si)电源芯片快100倍,因此仅需45分钟即可对Mi 10 PRO进行0至100%的充电。
  • 关键字: 小米  GaN  纳微半导体  

Nexperia 推出行业领先性能的高效率氮化镓功率器件 (GaN FET)

  • 近日,分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用,栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V,工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on) 仅为 60 mΩ)以及快速的开关切换;效率非常高。Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场,包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperi
  • 关键字: Nexperia  GaN FET  氮化镓功率器件  MOSFET 器件  

500万彩票网CISSOID与国芯科技签署战略合作协议

  • 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布:在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上,公司与湖南国芯半导体科技有限公司(简称“国芯科技”)签署了战略合作协议,将携手开展宽禁带功率技术的研究开发,充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势,并推动其在众多领域实现广泛应用。近年来,宽禁带半导体功率器件(如碳化硅SiC和氮化镓GaN等)凭借多方面的性能优势,在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而,在各类应用中
  • 关键字: IGBT  SiC  GaN  

Cree积极扩厂开发功率及射频元件,GaN on SiC磊晶技术发展待观察

  • 全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元,SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力,决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市,扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory),期望借此扩建案,提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占,并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。
  • 关键字: Cree  射频  GaN on SiC磊晶技术  

支持瓦特到千瓦级应用的氮化镓技术

  • 两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级尽可能提高(和降低)。氮化镓在任何功率级别都很关键。工程师正努力提高切换速度、效率和可靠性,同时减小尺寸、重量和元件数量。从历来经验来看,您必须至少对其中的部分因素进行权衡,但德州仪器正通过所有这些优势实现设计,同时通过在一个封装中进行复杂集成来节省系统级成本,并减少电路板元件数量。从将PC适配器的尺寸减半,到为并
  • 关键字: 德州仪器  600V氮化镓(GaN)功率器件  

MACOM和意法半导体携手合作提高硅基GaN产能,支持5G无线网络建设

  •   MACOM Technology Solutions Holdings公司(纳斯达克股票代码:MTSI) (以下简称“MACOM”)和意法半导体(纽约证券交易所股票代码:STM))(以下简称“ST”)于25日宣布,将在2019年扩大ST工厂150mm 硅基GaN的产能,200mm硅基GaN按需扩产。该扩产计划旨在支持全球5G电信网建设,基于2018年初 MACOM和ST宣布达成的广泛的硅基GaN协议。  随着全球推出5G网络并转向大规模MIMO(M-MIMO)天线配置,射频RF功率产品需求预计
  • 关键字: MACOM  GaN  

MACOM推出宽带多级硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模块 具备灵活安装性能,实现领先的设计敏捷性

  •   全球领先的半导体解决方案供应商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块,扩展其硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 产品组合。该宽带PA模块经过优化改良,适用于陆地移动无线电系统(LMR)、无线公共安全通信以及军事战术通信和电子对抗 (ECM) 领域。MAMG-100227-010 PA模块兼具50Ω 全匹配、 两级PA架构的高效设计,以及顶端和底端安
  • 关键字: MACOM  GaN  

GaN逐步向RF领域的发展之路

  • 目前,氮化镓(GaN)技术已经不再局限于功率应用,其优势也在向射频/微波行业应用的各个角落渗透,而且对射频/微波行业的影响越来越大,不容小觑。因为它可以实现从太空、军用雷达到蜂窝通信的应用。虽然GaN通常与功率放大器(PA)相关度很高,但它也有其他用例。自推出以来,GaN的发展历程令人瞩目,随着5G时代的到来,它可能会更加引人关注。
  • 关键字: GaN  RF  

射频前端市场潜力巨大 GaN发展优势明显

  • 目前射频前端元器件基本均由半导体工艺制备,如手机端的功率放大器(PA)和低噪声放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si,射频(RF)开关主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料,从目前的材料工艺角度来看,主要针对5G的Sub-6GHz范围。以PA为例,许多业内人士认为,GaN技术的运用将能为PA带来高效低功耗的优势。
  • 关键字: 射频  GaN  

盘点2018年全球电子产业最具代表性的十大“黑科技”

  • 今年整个产业在技术上也是节节攀升,2018年可以说是产业高速发展的一年,全球电子产业也产生了众多技术突破。
  • 关键字: 芯片,GaN  

第三代半导体又有新成员?氧化镓有什么优点?

  •   目前,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高,它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面,会有非常广阔的发展前景。  然而,SiC和GaN并不是终点,最近,氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野,凭借其比SiC和GaN更宽的禁带,该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此,近几年关于氧化镓的研究又热了起来。  实际上,氧化镓并不是很新的技术,多年前就
  • 关键字: 半导体  SiC  GaN  
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 GaN   即氮化镓,属第三代半导体材料。 [ 查看详细 ]

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