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igbt,mosfet 文章

Nexperia 推出行业领先性能的高效率氮化镓功率器件 (GaN FET)

  • 近日,分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用,栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V,工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on) 仅为 60 mΩ)以及快速的开关切换;效率非常高。Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场,包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperi
  • 关键字: Nexperia  GaN FET  氮化镓功率器件  MOSFET 器件  

CISSOID与国芯科技签署战略合作协议

  • 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布:在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上,公司与湖南国芯半导体科技有限公司(简称“国芯科技”)签署了战略合作协议,将携手开展宽禁带功率技术的研究开发,充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势,并推动其在众多领域实现广泛应用。近年来,宽禁带半导体功率器件(如碳化硅SiC和氮化镓GaN等)凭借多方面的性能优势,在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而,在各类应用中
  • 关键字: IGBT  SiC  GaN  

功率MOSFET的参数那么多,实际应用中该怎么选?

  • 功率 MOSFET也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
  • 关键字: MOSFET  功率MOSFET  

500万彩票网SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著

  • 商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史,自问世以来,MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件,被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。不过,这一成功也让MOSFET和IGBT体会到因成功反而受其害的含义。随着产品整体性能的改善,特别是导通电阻和开关损耗的大幅降低,这些半导体开关的应用范围越来越广。结果,市场对这些硅基MOSFET和IGBT的期望越来越高,对性能的要求越来越高。尽管主要的半导体研发机构和厂商下大力气满足市场要求,进一步改进MOSFET/ IGBT产品,但在某些时候,收益递减
  • 关键字: SiC MOSFET  意法半导体  

同类最佳的超级结MOSFET和 具成本优势的IGBT用于电动汽车充电桩

  • 插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统,可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能,开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。常用的半导体器件有IGBT、超结MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半导体为电动汽车OBC和直流充电桩提供完整的系统方案,包括通过AEC车规认证的超级结MOSFET、IGBT、门极驱动器、碳化硅(SiC)器件、电压检测、控制产品乃至电源模块等,
  • 关键字: 超级结MOSFET  IGBT  充电桩  

减慢开关转换时要谨慎

  • 开关调节器中的快速开关瞬变是有利的,因为这显著降低了开关模式电源中的开关损耗。尤其是在高开关频率时,可以大幅提高开关调节器的效率。但是,快速开关转换也会带来一些负面影响。开关转换频率在20 MHz和200 MHz之间时,干扰会急剧增加。这就使得开关模式电源开发人员必须在高频率范围内,在高效率和低干扰之间找到良好的折衷方案。此外,ADI公司提出了创新的Silent Switcher®技术,即使是极快的开关边沿,也可能产生最小电磁辐射。图1.对开关模式电源进行开关转换,在开关节点处施加输入电压。图1显示了快速
  • 关键字: 开关  MOSFET  

ROHM开发出4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。另外,罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT304
  • 关键字: SiC  MOSFET  

500万彩票网中欧“大咖”齐聚深圳,共话第三代半导体发展

  • 最近,由深圳市科学技术协会、坪山区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导,青铜剑科技、深圳第三代半导体研究院、南方科技大学深港微电子学院主办,深圳基本半导体、深圳中欧创新中心承办的第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳五洲宾馆成功举办。来自中国和欧洲的专家学者、企业高管、投资精英等近200名代表参会,围绕第三代半导体技术创新、产业发展、国际合作进行深入探讨与交流,加速第三代半导体材料国产化替代进程,助力国产半导体开辟一片新天地。深圳市科学技术协会党组书记林祥、深圳市坪山区科技创新局局长黄鸣出席论
  • 关键字: 碳化硅  二极管  MOSFET  

Diodes公司推出微型车用 MOSFET,可提供更高的功率密度

  • Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 今日宣布推出额定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及额定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ,两者均为符合车用规范的 MOSFET,采用 DFN2020 封装。这两款微型 MOSFET 仅占较大封装 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 区域,可在直流对直流 (DC-DC) 转换器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎盖下」的汽车应用之中,提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 时的 RDS(ON) 标
  • 关键字: MOSFET  汽车  

500万彩票网隔离式栅极驱动器的重要特性

  •   Thomas Brand(ADI慕尼黑公司 现场应用工程师)  摘 要:探讨了IGBT隔离式栅极驱动器的重要特性。  关键词:IGBT;隔离式;栅极驱动器  在功率电子(例如驱动技术)中,IGBT经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制,其主要损耗产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗,要求具备较短的开关时间。然而,快速开关同时隐含着高压瞬变的危险,这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此,为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器,还执行提供短路保护并影响开关速度的功能。然而,在选择栅极驱动器
  • 关键字: 201909  IGBT  隔离式  栅极驱动器  

针对高耐用性和可靠性电源需求,意法半导体推出市场上击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器

  • 中国,2019年7月29日——意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器,集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET,使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。VIPer26K MOSFET具有极高的额定电压,无需传统垂直堆叠FET和相关无源元件,即可实现类似的电压处理能力,可采用尺寸更小的外部缓冲器元件。转换器内置漏极限流保护功能,MOSFET包含一个用于过温保护的senseFET引脚。单片集成高压启动电路、内部误差放大器和电流式PWM控制器,VIPER26K支持所有常见开关式电源拓扑,包括原边或副
  • 关键字: 电源  意法半导体  击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器  

SiC将达23亿美元规模,技术精进是主攻方向

  •       SiC(碳化硅)作为第三代半导体,以耐高压、高温和高频,在高性能功率半导体上显出优势。在应用中,在光伏和服务器市场最大,正处于发展中的市场是xEV(电动与混动汽车)。随着SiC产品特性越做越好,在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。      不过,制约SiC发展的,最主要的是价格,主要原因有两个,一个是衬底,一个是晶圆尺寸所限。例如晶圆尺寸越大,成本也会相应地下降,ROHM等公司已经有6英寸的晶圆片。在技术方面,众厂商竞争
  • 关键字: SiC  MOSFET  

向小功率和大功率延伸 三菱电机五大新品看点

  • 在产业电子化升级过程中,作为电子产品的基础元器件之一的功率半导体器件越来越得到重视与应用。而中国作为需求大国,已经占有约39%的市场份额,在中国制造业转型升级的关键时期,对功率半导体器件的需求将会越来越大。自上世纪80年代起,功率半导体器件MOSFET、IGBT和功率集成电路逐步成为了主流应用类型。其中IGBT经历了器件纵向结构、栅极结构以及硅片加工工艺等7次技术演进,目前可承受电压能力达到6500V,并且实现了高功率密度化。在此背景下,6月26-28日,PCIM亚洲展2019将在在上海世博展览馆举行,三
  • 关键字: 三菱电机  PCIM亚洲展  IGBT  

华为强力扫货 手机、服务器用MOSFET急单声声催

  • 中美贸易战战火延烧,华为禁令事件已经让大陆业者火速要求逻辑IC供应链紧急备货,熟悉功率元件业者透露,除了巩固华为海思晶圆代工、封测代工供应链以及台系逻辑IC供应体系外,疯狂扫货力道已经蔓延到功率基础元件金氧半场效晶体管(MOSFET)。
  • 关键字: 华为  MOSFET  中美贸易战  

IGBT场效应管的工作原理及检测方法

  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点,已逐步取代晶闸管和GTO(门极可关断晶闸管),是目前发展最为迅速的新一代电
  • 关键字: IGBT  场效应管  
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