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推动更快、更安全、更高效EV充电器的技术

  • 随着电动汽车(EV)数量的增加,对创建更加节能的充电基础设施系统的需求也在日益增长,如此便可更快地为车辆充电。与先前的电动汽车相比,新型电动汽车具有更高的行驶里程和更大的电池容量,因此需要开发快速直流充电解决方案以满足快速充电要求。150 kW或200 kW的充电站约需要30分钟才能将电动汽车充电至80%,行驶大约250 km。根据联合充电系统和Charge de Move标准, 快速DC充电站 可提供高达400 kW的功率。今天,我们将研究驱动更快、更安全、更高效的充电器的半导体技术
  • 关键字: EV  SiC  IGBT  MOSEFT  CMTI  

UnitedSiC与益登科技签署分销协议

  • 领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商 UnitedSiC 近日宣布与益登科技签署代理协议,益登科技是总部位于台湾的半导体产品主要分销商和解决方案供应商。益登科技将与UnitedSiC合作,助其将产品推向亚洲市场,为包括电动汽车、电池充电、IT基础设施、可再生能源和电路保护等高增长应用领域的客户提供产品方案。UnitedSiC全球销售和营销副总裁Yalcin BulutUnitedSiC全球销售和营销副总裁Yalcin Bulut 表示:“亚洲市场正在迅速崛起,急需采用能够实现新产品差异化的新技术。益登的
  • 关键字: SiC  电动汽车  

安森美全面布局碳化硅市场:汽车、新能源、5G

  • 目前,碳化硅市场正处于快速增长中,根据各大咨询机构统计,碳化硅在电源的功率因数校正(PFC)、太阳能逆变器、光伏逆变器、不间断电源、5G、通信电源、高频开关电源等领域都拥有非常广阔的市场。与传统硅材料相比,新一代的宽禁带半导体材料碳化硅可提供高场强、高能隙,以及高电子移动速度和热导率,让下一代半导体器件的性能得到革命性提升。
  • 关键字: 安森美  SiC  碳化硅  

500万彩票网安森美半导体的碳化硅(SiC)功率模块 将支持台达的太阳能光伏逆变器

  • 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),推出一款适用于 太阳能逆变器应用 的 全SiC功率模块 ,该产品已被全球领先的电源和热管理方案供应商台达选用,用于支持其M70A三相光伏组串逆变器。 NXH40B120MNQ系列全SiC功率模块集成了一个1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有双升压级的1200 V,40 A SiC升压二极管。 SiC技术的使用提供了实现太阳能逆变器等应用中所要求高能效水平所需的低反向恢复和快速
  • 关键字: MOSFET  SiC  PIM  

宽禁带生态系统:快速开关和颠覆性的仿真环境

  • 宽禁带 材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿,从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作,降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统,包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外,我们还提供spice物理模型,帮助设计人员在仿真中实现其应用性能,缩短昂贵的测试周期。我们的预测性离散建模可以进行系统级仿真
  • 关键字: IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

臻驱科技与罗姆成立碳化硅技术联合实验室

  • 中国新能源汽车电驱动领域高科技公司臻驱科技(上海)有限公司(以下简称“臻驱科技”)与全球知名半导体厂商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)宣布在中国(上海)自由贸易区试验区临港新片区成立“碳化硅技术联合实验室”,并于2020年6月9日举行了揭牌仪式。与IGBT*1等硅(Si)功率元器件相比,碳化硅(SiC)功率元器件具有传导损耗、开关损耗*2小、耐温度变化等优势,作为能够显著降低损耗的半导体,在电动汽车车载充电器以及DC/DC转换器等方面的应用日益广泛。自2017年合作以来,臻驱科技和罗姆就采
  • 关键字: MOSEFT  SiC  

新基建驱动电力电源变革,ST祭出一揽子解决方案

  • 我国正在大力进行新基建,工业物联网、汽车充电桩、5G手机等对电力与电源提出了更高的能效要求。与此同时,SiC、GaN等第三代半导体材料风生水起,奠定了坚实的发展基础。充电桩、工业物联网、手机需要哪些新电力与电源器件?近日,ST(意法半导体)亚太区功率分立器件和模拟产品部区域营销及应用副总裁Francesco MUGGERI接受了电子产品世界记者的采访,分享了对工业市场的预测,并介绍了ST的新产品。ST亚太区 功率分立器件和模拟产品部 区域营销及应用副总裁 Francesco MUGGERI1 工业电源市场
  • 关键字: 电源  SiC  IGBT  GaN  

纬湃科技和罗姆携手打造SiC电源解决方案

  • 汽车电动化领域的领先供应商——纬湃科技(以下简称“Vitesco”)近日宣布选择SiC功率元器件的领军企业——罗姆(以下简称“ROHM”)作为其SiC技术的首选供应商,并就电动汽车领域电力电子技术签署了开发合作协议(2020年6月起生效)。通过使用SiC功率元器件,大陆集团旗下的Vitesco将能够进一步提高电动汽车用电力电子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用电动汽车电池的电能。这将非常有助于延长电动汽车的续航里程并削减电池体积。Vitesco电气化技术事业部执行副总裁
  • 关键字: SiC  电气  

聚焦“宽禁带”半导体——SiC与GaN的兴起与未来

  • 随着硅与化合物半导体材料在光电子、电力电子和射频微波等领域器件性能的提升面临瓶颈,不足以全面支撑新一代信息技术的可持续发展......
  • 关键字: 宽禁带  半导体  SiC  GaN  

碳化硅发展势头强 英飞凌650V CoolSiC MOSFET推高创新浪潮

  • 近期,多家公司发布了碳化硅(SiC)方面的新产品。作为新兴的第三代半导体材料之一,碳化硅具备哪些优势,现在的发展程度如何?不久前,碳化硅的先驱英飞凌科技公司推出了650V的CoolSiC™ MOSFET,值此机会,电子产品世界访问了英飞凌电源管理及多元化市场事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈清源先生。英飞凌,电源管理及多元化市场事业部,大中华区,开关电源应用,高级市场经理,陈清源碳化硅与氮化镓、硅材料的关系碳化硅MOSFET是一种新器件,它的出现使一些以前硅材料很难被应用的电源转换结构,例如电流连续
  • 关键字: SiC  UPS  

ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,总部位于中国上海市,以下简称“UAES公司”)的电动汽车车载充电器(On Board Charger,以下简称“OBC”)。UAES公司预计将于2020年10月起向汽车制造商供应该款OBC。与IGBT*2等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一种能
  • 关键字: OBC  SiC MOSFET  

安森美半导体推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的应用

  • 近日,推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出另两个碳化硅(SiC) MOSFET系列,扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。 这些新器件适用于各种高要求的高增长应用,包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不间断电源(UPS)、服务器电源和EV充电桩,提供的性能水平是硅(Si) MOSFET根本无法实现的。安森美半导体的新的1200伏(V)和900 V N沟道SiC MOSFET提供比硅更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二
  • 关键字: SiC  WBG  

CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块

  • 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布,将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战,并推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM)平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案,即整合了内置栅极驱动器的三相水冷式碳化硅MOSFET模块。这个全新的可扩展平台同时优化了功率开关的电气、机械和散热设计及其临界控制,对于电动汽车(EV)整车厂和愿意快速采用基于碳化硅的逆变器以实现更高效、更简洁电机驱动的电动机制造商而言,该平台可以帮助他们加快产品上市时间。该可扩展
  • 关键字: SiC  IPM  

电机的应用趋势及控制解决方案

  • 顾伟俊  (罗姆半导体(上海)有限公司 技术中心 现场应用工程师)摘  要:介绍了电机的应用趋势,以及MCU、功率器件的产品动向。 关键词:电机;BLDC;MCU;SiC;IPM1  电机的应用趋势 随着智能家居、工业自动化、物流自动化等概念的 普及深化,在与每个人息息相关的家电领域、车载领 域以及工业领域,各类电机在技术方面都出现了新的 需求。 在家电领域,电器的 智能化需要电器对人机交 流产生相应的反馈。例如 扫地机器人需要扫描计算 空间,规划路线,然后执 行移动以及相应
  • 关键字: 202003  电机  BLDC  MCU  SiC  IPM  

碳化硅(SiC)功率器件或在电动汽车领域一决胜负

  • 电力电子器件的发展历史大致可以分为三个大阶段:硅晶闸管(可控硅)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和刚显露头角的碳化硅(SiC)系列大功率半导体器件。碳化硅属于第三代半导体材料,与普通的硅材料相比,碳化硅的优势非常突出,它不仅克服了普通硅材料的某些缺点,在功耗上也有非常好的表现,因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此,已经有越来越多的半导体企业开始进入SiC市场。到2023年,SiC功率半导体市场预计将达到15亿美元。SiC器件的供应商包括Fuji、英飞凌、Littelfuse、三菱、安森
  • 关键字: 碳化硅、SiC、功率器件、电动汽车  
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sic介绍

SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

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